一维碳纳米管等低维半导体，可用于将金属氧化物半导体场效应晶体管metal–oxide–semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) 的栅极长度，缩小到硅基晶体管极限。然而，这种低维半导体系统，开发工业兼容的掺杂策略和极性调控方法，是极具挑战的。

实验观察到，氮化硅SiN_x施主缺陷密度接近5×10e¹⁹ cm^-3，这可以在缩放纳米管器件扩展中，维持0.4nm^-1碳纳米管载流子密度。该项技术，适用于其他先进的场效应晶体管沟道材料，包括二维半导体。

Complementary carbon nanotube metal–oxide–semiconductor field-effect transistors with localized solid-state extension doping. 

具有局部固态扩展掺杂的互补碳纳米管金属氧化物半导体场效应晶体管。

图1: 碳纳米管carbon nanotubes，CNT器件架构。

图2: 基于局部共形固态扩展掺杂，以设置顶栅互补碳纳米管CNT 金属氧化物半导体场效应晶体管

metal–oxide–semiconductor field-effect transistors，MOSFET器件的极性。

图3:器件布局、电容-电压特性、沟道-载流子迁移率和密度。

图4:固态外延掺杂solid-state extension doping制备。

图5:固态延伸掺杂模拟。